Reuters vertelt ons dat Intel een nieuwe manier heeft bedacht om transistors te bouwen. De Intel TeraHertz transistor is zo gemaakt dat hij veel minder warmte produceert c.q. energie verbruikt. Ook handig is, is dat dit nieuwe type transistors relatief makkelijk te produceren is. Een groot probleem van huidige transistors die kleiner en kleiner worden is zogenaamde current leakage. Dit houdt in dat sommige elektronen de verkeerde weg nemen in de processor wat als gevolg rekenfouten, warmteproductie en in het ergste geval een gesmolten processor oplevert.
Intel heeft dit probleem grotendeels opgelost. Door het gebruik van een soort van geavanceerde SOI (silicon-on-insulator) techniek worden elektronen op het rechte pad gehouden. AMD en IBM zijn ook druk bezig met SOI processors, maar wat Intel heeft ontworpen is net een stapje geavanceerder. Deze kan namelijk off-state leakage voorkomen (het doorlaten van elektronen als de transistor “uit” staat). Dit scheelt maar liefst een factor honderd aan leakage current vergeleken met IBM’s techniek.
Daarnaast gaat Intel het silicondioxide vervangen door een ander, nog niet bekend materiaal. Ook dit materiaal voorkomt stroomlekken. Vergeleken met silicondioxide verminderd dit materiaal "gate leakage" met een factor 10.000 .
Dankzij deze twee verbeteringen kunnen processors gemaakt worden met 25 keer meer transistors en een 10 keer zo hoge clocksnelheid terwijl het energiegebruik hetzelfde is gebleven. De eerste processors die gebruik maken van deze technieken kunnen begin 2005 al verwacht worden aldus Intel.
![]() |
Met dank aan Paradiddle voor de tip.