Op SiliconStrategies is een interessant stuk tekst verschenen over de vernieuwde internationale halfgeleider roadmap. Bedrijven over de hele wereld hebben afgelopen woensdag op een beurs in San Francisco de eerste kladversie van deze plannen getoond, maar het duurt nog vijf maanden voor in Korea de uiteindelijk versie getoond wordt. Op de roadmap vinden we de geschatte processor-snelheden en dichtheden van DRAM chips van dit jaar tot en met 2014. In de plannen zijn overigens nog een groot aantal punten in rood aangegeven, dat wil zeggen dat er nog meer dan genoeg technologische uitdagingen moeten worden overwonnen. Dingen als Extreme Ultra-Violet en electron-beam projectie zijn slechts de eerste voorbeelden van wat de toekomst ons zal brengen. De plannen zijn overigens wat minder ambiteus dan die van twee jaar geleden, toen men voor 2014 terabit chips voorspelde. DRAM makers waren het er echter over eens dat in dat jaar dit soort opslag nog niet nodig zou zijn, ondanks de aanwezige techniek:
For purists, the 2001 roadmap will recalibrate the benchmarks for some of the upcoming chip generations to reflect the precise die-shrink geometries for new nodes. Thus, the former "0.10-micron" node becomes "0.09 micron." The 0.07-micron node will become 0.065-micron, and the 0.05-micron becomes 0.045-micron.
Doering said the 2001 roadmap for the first time will include detailed parameters for system-on-a-chip devices. The 1999 version included a general discussion of SoC, which were considered at the time too new to create a track record for making a roadmap forecast. Doering said SoC are now mature so a more detailed technology forecast can be made.
"One approach the SoC technical working group is using is to come up with an overall model, which people can plug in various numbers based on the wide ranging different types of SoCs," he said. The TI fellow pointed out that SoCs are so varied that it would be almost impossible to generate one overall set of technology parameters for each year in the roadmap.
|