Op de website van Intel Research is een zeer interessante presentatie te vinden over fundamentele zaken die nodig zijn om de de wet van Moore de komende tien jaar na te kunnen leven. In 2007 zou een processor ruim een miljard transistors aan boord kunnen hebben, dicht op elkaar geprakt met 0,45µ EUV technologie. Met de huidige transistortechnologie is zo'n chip echter onmogelijk te maken. De warmteproductie van een processor, gemeten in aantal Watt per vierkante centimeter, zal binnenkort al het niveau van een kernreactor bereiken, en zonder slimme nieuwe technieken zal dit exponentieel blijven toenemen tot een energiedichtheid waar het oppervlak van een gemiddelde ster jalours op kan zijn. Intel heeft daarom een nieuw type transistor ontwikkeld in haar TeraHertz serie, genaamd DST. In het document begint men een nette uitleg over de werking van een transistor, en de problemen die men tegenkomt als ze kleiner gemaakt worden, waaronder weerstand, lekstroom en soft errors.
![]() |
Daarna prestenteert men de DST: Depleted Substrate Transistor, waarbij een laagje zirconiumoxide in plaats van siliciumoxide wordt gebruikt om source en drain van de gate te scheiden. Voordeel hiervan is dat er 10.000 keer minder stroom gelekt wordt. Daarnaast gebruikt DST een verbeterde versie van SOI om de weerstand omlaag te brengen. Daardoor is minder spanning nodig, is het doorgevoerde signaal van hogere kwaliteit en is het geheel is veel minder gevoeling voor alphastraling. DST technologie zal voor het eerst worden gebruikt in het 0,65µ procédé voor 300mm wafers, dat in 2005 verschijnt. Intel is niet van plan om in navolging van AMD, Motorola en IBM SOI te gebruiken voor 0,13 of 0,09 micron chips, omdat de huidige vorm van SOI volgens het bedrijf een aantal nadelen heeft die pas opgelost kunnen worden met DST.
![]() |