IBM heeft aangetoond dat het mogelijk is om transistors te bouwen die drie keer zo snel schakelen. Dit werd bereikt door het kanaal van de transistor te voorzien van een laag strained germanium. De snelheidsverbetering die hier mee bereikt wordt komt doordat strained germanium een betere geleider is dan strained silicium, waardoor elektronen sneller van de ene kant naar de andere kant van het kanaal kunnen bewegen. De techniek die door IBM is ontwikkeld is compatibel met de huidige CMOS-technologie, waardoor er in feite niets in de weg staat om deze techniek in de toekomst toe te gaan passen. Het eerste proces dat gebruik zal maken van strained germanium is het 32nm-proces.
Het gebruik van germanium heeft ook een positief neveneffect. De elektrische eigenschappen zouden het namelijk een stuk makkelijker moeten maken om de isolator tussen gate en kanaal te vervangen door een high-k-materiaal. Momenteel zoekt de microelektronicaindustrie namelijk naar een vervanger voor deze isolator die uit siliciumdioxide bestaat. De zoektocht naar dit materiaal gaat moeizaam, omdat er een aantal problemen optreden als er een high-k-materiaal op silicium wordt aangebracht. Intel heeft hiervoor een oplossing gevonden door een laag metaal tussen het silicium en het high-k-materiaal aan te brengen. Het lijkt er dus op dat dit bij het gebruik van een laag strained germanium dus niet nodig is. IBM zal tijdens de komende International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco meer vertellen over deze nieuwe vinding.
