Geheugenfabrikant OCZ heeft vandaag nieuwe technieken om interferentie en ruis in geheugenmodules tegen te gaan uit de doeken gedaan. De techniek gaat door het leven onder de naam ULN 2 waarbij ULN uiteraard staat voor Ultra Low Noise. De ULN 2-techniek zal gebruikt worden in de nieuwe generatie geheugenmodules van het bedrijf. Op de site van OCZ is een interessante uitleg verschenen over ruis en interferentie. In het artikel wordt ingegaan op de oorzaken van ruis en interferentie en de mogelijke gevolgen. Met behulp van ULN 2 probeert OCZ de hoeveelheid ruis en interferentie te minimaliseren middels een speciaal ontworpen PCB met een betere routing van de PCB-traces en met meer afscherming van de verschillende signaallijnen tegen invloeden van buitenaf en binnenin:
The additional shielding present helps to reduce the interference from other nearby devices as well as on the PCB itself. Shielding is generally accomplished through the use of large metal planes that provide protection from electric fields. This helps to reduce the inductive interference as well as the capacitive coupling.
Improved signal routing helps to speed up the overall module as the wire traces on the PCB are more efficiently routed so as to minimize the capacitive and resistive nature of these interconnects as well as find the minimum distance for critical signals. Moreover, special care is taken in the placement and routing of rapidly switching lines to minimize the effect of noise and interference on nearby lines.