Op SiliconStrategies is de lezen dat Intel voor zijn 0,09 micron-procédé gebruik zal maken van Aurora, een techniek ontwikkeld door het Nederlandse bedrijf ASM International - niet te verwarren met ASM Lithography (ASML). Aurora is een manier om de diëlectrische waarde van een materiaal te verlagen door er een dunne laag chemicaliën op te laten condenseren. Hoe lager deze zogenaame k-waarde is, hoe beter het materiaal isoleert. Die betere isolatie levert weer koelere en zuinigere chips op, omdat er minder stroom weglekt. Naast het meest voor de hand liggende voordeel van twee keer zo kleine transistors, is dit de derde nieuwe techniek die de 0,09 micron-processors van Intel sneller moet laten rennen; de andere twee zijn SiGe en strained silicon. De keuze voor de Nederlanders kwam voor veel experts als een verrassing, omdat andere bedrijven meer ervaring hebben met dergelijke materialen. ASMI is binnen Intel echter niet bepaald onbekende; het is ook de leverancier van de reactors waarin wafers worden gekweekt voor de 90nm-productielijnen. Ook voor de toekomst zijn er genoeg mogelijkheden:
Many believe it makes sense for Intel to extend Aurora to 65-nm, given the difficulties to switch low-k vendors and films. ASMI is quietly fielding its next-generation film for 65-nm, dubbed "Ultra Aurora"--which has a k value of 2.4 and pore sizes of 5 angstroms. The film reportedly has a k-effective of 2.7 to 2.5. The first-generation Aurora has pore sizes of 50 angstroms.
The company is also working on a yet-to-be-announced 45-nm film. Called ELK, the film has a k value of 2.2. Little is known about the film, however.