Van C|Net News.com mogen we vernemen dat Intel op schema ligt met de ontwikkeling van de tri-gate field effect transistor. De tri-gate transistor heeft in plaats van een gate, drie gates. Hierdoor is de gate niet meer plat, maar tunnelvormig waardoor hij sneller is en minder stroom lekt. Volgens C|Net heeft Intel ondertussen de onderzoeksfase afgesloten en zijn de ingenieurs en onderzoekers bij Intel begonnen met het ontwerp van de uiteindelijke transistor. Dit ontwerp moet over twee jaar af zijn zodat de transistor in 2007 gebruik kan worden in chips. AMD en IBM werken ook aan een fet met meerdere gates, de finfet. Het grote verschil tussen beide ontwerpen is het aantal gates. Intel's ontwerp heeft drie gates, terwijl het ontwerp van AMD en IBM er maar twee heeft.
