C|Net meldt dat Intel bezig is met het experimenteren met transistoren met drie gates. Met deze stap hoopt Intel weer een extra snelheidsverbetering te realiseren met de huidige Silicium technologie.
Zoals wellicht bekend bestaat een computer chip, zoals een processor, voor het grootste deel uit transistoren. Normaal gesproken bestaat een transistor uit een source, drain en een gate. Door een spanning op de gate te zetten, loopt er een stroom tussen de source en de drain. IBM heeft onlangs bekend gemaakt dat het bedrijf een werkende SRAM chip gebaseerd op double-gate technologie. Dit houdt in dat er in plaats van één gate gebruik wordt gemaakt van twee gates. AMD zal deze techniek waarschijnlijk ook in gaan zetten in hun chips. Intel heeft nu echter een transistor geproduceerd met drie gates, oftewel triple-gate transistor. Het voordeel van meerdere gates is dat de transistor grotere spanningen kan besturen en de schakelfrequentie wordt hoger. Doordat er hogere spanningen gestuurd kunnen worden zal de mogelijke klokfrequentie ook toenemen, omdat het resulterende signaal zuiverder zal zijn. Daarnaast zal het weglekken van stroom in de transistor afnemen, wat gunstig is voor het energie verbruik.
Tri-gate transistoren zijn ook de eerste transistoren die niet op een plat vlak (planar) gerealiseerd kunnen worden. Derhalve zouden deze transistoren ook als de eerste 3-dimensionale transistoren bestempeld kunnen worden. Ontwikkelingen zoals deze zijn noodzakelijk om toekomstige processors sneller te kunnen blijven maken. Met de introductie van de 90 nm lithografie, welke gebruikt zal gaan worden voor de Prescott processor, komt Intel steeds dichter bij de fysieke grenzen van de huidige techniek. De silicium lagen zijn namelijk nog maar vijf atoomlagen dik bij dit productieprocédé.
Wanneer we transistoren met meerdere gates in consumentenproducten zullen tegen komen is nog niet bekend. Geen van de fabrikanten die op dit gebied actief zijn hebben al producten op hun roadmap staan die gebruik maken van deze nieuwe technologie:
"We're going to have to have some breakthroughs," he said. "We've been working with planar silicon for 35 years. The ability to get (further) performance, especially power performance, is limited."
The extra gates come from a redesign of the basic transistor structure. Current transistors are essentially flat, with the channel of electrons flowing in a plane on top of the source and drain. "The flow of electrons is planar; it is parallel to the silicon," Marcyk said.
:strip_icc():strip_exif()/u/3496/ford_power_klein.jpg?f=community){kind=small}
/u/1409/furtvgast%2520verkleind.png?f=community){kind=small}
:strip_exif()/u/23403/wicky55.gif?f=community){kind=small}
Dit is zoiets als het uitleggen dat een gitaar een snaar instrument is met een E, A, D, G, B en hoge E snaar met klankkast en zonder pickup-elementen... 
:strip_exif()/u/11179/Mannetje.gif?f=community){kind=small}
:strip_exif()/u/2087/osiris_ani.gif?f=community){kind=small}
):strip_icc():strip_exif()/u/44113/tux.jpg?f=community){kind=small}