Onderzoekers aan de universiteit van Wisconsin in Madison zijn er in geslaagd geheugen te bouwen waarbij de nullen en enen worden gerepresenteerd door enkele atomen. Als deze technologie praktisch gemaakt kan worden dan zou de datadichtheid van opslagmedia met maar liefst een factor duizend kunnen worden opgekrikt. De onderzoekers realiseerden zich dat ze een techniek voor dataopslag op atoomniveau hadden gevonden toen ze goudatomen uitspreidden over een silicium wafer. Het silicium begon nette banen van exact 5 atomen breed te vormen, die sterk leken op de banen die gebruikt worden op cd's.
De doorbraak die het geheugen mogelijk maakte was een methode voor precieze positionering van atomen binnen de banen. Hiervoor hebben de onderzoekers een zogenaamde 'scanning tunneling microscope' gebruikt. Met dit instrument was het mogelijk de atomen op te pakken en exact weer neer te zetten. De datadichtheid die hierdoor ontstaat is 250 triljoen bits per vierkante inch. Dit maakt het mogelijk maar liefst 7800 DVD's op die vierkante inch op te slaan.
Op dit moment is het leesproces nog erg traag, maar de onderzoekers zijn er van overtuigd dat dit probleem in de nabije toekomst opgelost gaat worden. Het geheugen moet in theorie net zo snel kunnen worden als magnetisch geheugen:
Although the prototype is very slow at reading data compared with readout speeds of magnetic disks, the researcher's work shows that this can be improved, said First. The fundamental limit of readout speeds has to do with signal-to-noise ratio, and the researchers showed that this limit is substantially higher than the speed they were able to achieve with the current prototype. If the researcher's storage media were combined with microelectromechanical systems that allowed for parallel data readout from the memory, "the ultimate data rate could be comparable to magnetic disks," according to First.